特許
J-GLOBAL ID：201603002362484433
非磁性物質分散型Fe-Pt系スパッタリングターゲット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小越 勇
, 小越 一輝
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013072249
公開番号（公開出願番号）：WO2014-064995
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：
Ptが分子数比で35〜55%、残余がFeからなる組成の合金と、その合金中に分散する非磁性物質からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、非磁性物質として少なくともSiO2を含み、SiO2が非晶質であって、ターゲットに含まれる酸素量から非磁性物質の構成成分の酸素を除いた残留酸素量が0.07重量%以下であることを特徴とする焼結体スパッタリングターゲット。 SiO2のクリストバライトへの結晶化を抑制し、スパッタリング時に発生するパーティクル量が少ない、SiO2を含む非磁性物質がFe-Pt系の合金中に分散した組織を有する焼結体スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Ptが分子数比で35〜55%、残余がFeからなる組成の合金と、その合金中に分散する非磁性物質からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、非磁性物質として少なくともSiO2を含み、SiO2が非晶質であって、ターゲットに含まれる酸素量から非磁性物質の構成成分の酸素を除いた残留酸素量が0.07重量%以下であることを特徴とする焼結体スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4K029BA26
, 4K029BA64
, 4K029BC06
, 4K029BD11
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC09
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 5D112AA05
, 5D112AA24
, 5D112BB02
, 5D112FA04
, 5D112FB02
