特許
J-GLOBAL ID：201603002569176658

電極の製造方法及び当該方法を用いて作製された電極

発明者：
ヴァネッサ ウッド

ヴァネッサ ウッド について

, 
マルティン オットー ヨハン エブナー

マルティン オットー ヨハン エブナー について


出願人/特許権者：
エーテーハー チューリヒ

エーテーハー チューリヒ について


代理人 (10件)： 渡邊 喜平 ,  岡野 功 ,  田中 有子 ,  森島 なるみ ,  中山 真一 ,  今井 哲也 ,  生富 成一 ,  平山 晃二 ,  山崎 信一郎 ,  岡本 和道
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-508041
公開番号（公開出願番号）：特表2016-522961
出願日： 2014年04月16日
公開日（公表日）： 2016年08月04日
要約：
最短軸(c)より少なくとも1.5倍長い最長軸(a)を有し、かつ第2最長軸(b)に対する前記最長軸(a)の比が2未満である異方性形状の電気化学的活性粒子を含む、少なくとも1つの多孔質表面層を有する電極の製造方法を提供する。この方法を用いて製造した電極にも関する。この方法は少なくとも以下の工程を含む:(a)複合体を生成するために常磁性のナノメートルサイズの粒子を前記異方性形状の電気化学的活性粒子の表面に結合させる工程;(b)ナノメートルサイズの粒子と異方性形状の電気化学的活性粒子との前記複合体のスラリーを製造する工程であって、前記スラリーは揮発性成分又は溶出可能成分を放出することができるバインダー及び/又は液状バインダーと混合された溶媒を含み;(c)前記スラリーを平らな基材に塗布して1〜1000μmの範囲の厚さを有する膜を形成する工程;(d)少なくとも前記膜に磁場を印加し、前記異方性形状の電気化学的活性粒子を配向して、前記異方性形状の電気化学的活性粒子の最短軸が、前記領域において前記基材に対して平行に配向された共通好適軸に実質的に沿って配列されるように、粒子が配置されているスラリー被覆基材とする工程;(e)前記磁場を印加している間又は印加後のいずれかで、前記バインダーの固化と共に前記溶媒を蒸発させて、及び/又は前記バインダーの固化と前記揮発性成分の放出により、及び/又は前記バインダーの固化と続く溶出可能成分の溶出によって、実体積分率が100%未満の前記表面層を形成する工程。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
最短軸(c)よりも少なくとも1.5倍長い最長軸(a)を有し、かつ第2最長軸(b)に対する前記最長軸(a)の比が2より小さい、異方性形状の電気化学的活性粒子を含む、少なくとも1つの多孔質表面層を有する電極の製造方法であって、該方法は、少なくとも (a)常磁性ナノメーターサイズの粒子を前記異方性形状の電気化学的活性粒子の表面に結合させてナノメーターサイズの粒子と異方性形状の電気化学的活性粒子との複合体を生成する工程; (b)前記ナノメーターサイズの粒子と異方性形状の電気化学的活性粒子との複合体のスラリーを製造する工程であって、該スラリーは、揮発性成分又は溶出可能成分を放出することができるバインダー及び/又は液体バインダーと混合された溶媒を含む; (c)前記スラリーを平面基材に塗布し、1〜1000μmの範囲の厚さを有する膜を形成する工程; (d)少なくとも前記膜に磁場を印加し、前記異方性形状の電気化学的活性粒子を配向させスラリー被覆基材とする工程であって、前記スラリー被覆基材において、前記異方性形状の電気化学的活性粒子の最短軸が、少なくとも領域の幅に関して、当該領域において前記基材に平行に配向された共通好適軸に沿って実質的に整列されるように、前記異方性形状の電気化学的活性粒子が配置される工程; (e)前記磁場の印加の際又は印加後のいずれかで、前記バインダーの固化と共に前記溶媒を蒸発させて、及び/又は前記バインダーの固化と前記揮発性成分の放出により、及び/又は前記バインダーの固化とその後の前記溶出可能成分の溶出によって、実体積分率が100%未満の前記表面層を形成する工程 を含む方法。
IPC (20件)：
H01M 4/139 ,  H01M 4/36 ,  H01M 4/62 ,  H01M 4/13 ,  H01M 4/66 ,  H01M 4/72 ,  H01M 4/80 ,  H01M 4/64 ,  H01M 4/40 ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/587 ,  H01M 4/74 ,  H01M 4/88 ,  H01G 11/24 ,  H01G 11/30 ,  H01G 11/86 ,  C25D 17/10 ,  C25B 11/03 ,  C25B 11/04
FI (24件)：
H01M4/139 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/36 A ,  H01M4/62 Z ,  H01M4/13 ,  H01M4/66 A ,  H01M4/72 A ,  H01M4/80 C ,  H01M4/64 A ,  H01M4/40 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/74 C ,  H01M4/88 C ,  H01M4/88 K ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  C25D17/10 101A ,  C25B11/03 ,  C25B11/04 Z
Fターム (65件)：
4K011AA16 ,  4K011BA03 ,  4K011CA04 ,  4K011DA01 ,  4K011DA11 ,  5E078AA15 ,  5E078BA18 ,  5E078BA31 ,  5E078BA42 ,  5E078BA47 ,  5E078BA62 ,  5E078BA73 ,  5E078BB33 ,  5E078ZA01 ,  5H017AA03 ,  5H017AA10 ,  5H017CC01 ,  5H017CC05 ,  5H017CC25 ,  5H017EE01 ,  5H017EE04 ,  5H017EE05 ,  5H017EE06 ,  5H018BB01 ,  5H018BB08 ,  5H018BB12 ,  5H018DD06 ,  5H018DD08 ,  5H018EE06 ,  5H018EE11 ,  5H018EE12 ,  5H018EE17 ,  5H018HH03 ,  5H018HH05 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA02 ,  5H050CB02 ,  5H050CB08 ,  5H050CB12 ,  5H050DA04 ,  5H050DA06 ,  5H050DA07 ,  5H050DA08 ,  5H050DA11 ,  5H050DA18 ,  5H050EA23 ,  5H050EA24 ,  5H050EA28 ,  5H050FA08 ,  5H050FA12 ,  5H050FA16 ,  5H050FA17 ,  5H050GA01 ,  5H050GA02 ,  5H050GA10 ,  5H050GA12 ,  5H050GA22 ,  5H050HA00 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05 ,  5H050HA07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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