特許

J-GLOBAL ID：201603002657572091

電子デバイス及びガスバリアー性フィルムの製造方法

発明者： 鈴木 一生
出願人/特許権者： コニカミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013079484
公開番号（公開出願番号）：WO2014-073438
出願日： 2013年10月31日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
要約：

本発明の課題は、ガスバリアー性及び耐久性(平面性及びダークスポット耐性)に優れた電子デバイスと、ガスバリアー性フィルムの製造方法を提供することである。 本発明の電子デバイスは、樹脂基材上、炭素原子、ケイ素原子及び酸素原子を有し、層厚方向に組成が連続的に変化し、炭素分布曲線が極値を有し、炭素原子比率の極大値と極小値の差が5at%以上で、全層厚の90%以上の領域での平均原子比率が、(炭素原子比率)<(ケイ素原子比率)<(酸素原子比率)、又は(酸素原子比率)<(ケイ素原子比率)<(炭素原子比率)であり、かつガスバリアー層上に、ポリシラザン含有液を塗布、乾燥した後、形成した塗膜に収縮処理を施して形成され、収縮処理前後における層厚方向の膜収縮率が10〜30%である無機ポリマー層を有するガスバリアー性フィルムを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

樹脂基材上に、ガスバリアー層と無機ポリマー層とがこの順で積層されたガスバリアー性フィルムを具備した電子デバイスであって、 前記ガスバリアー層は、炭素原子、ケイ素原子及び酸素原子を含有し、層厚方向に組成が連続的に変化し、下記要件(1)及び(2)を満たし、 前記無機ポリマー層は、ポリシラザン含有膜に収縮処理を施して形成され、膜収縮率が10〜30%の範囲内である ことを特徴とする電子デバイス。 (1)前記ガスバリアー層についてのX線光電子分光法による深さ方向の元素分布測定に基づく各構成元素の分布曲線のうち、当該ガスバリアー層の層厚方向における前記ガスバリアー層の表面からの距離と、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量(100at%)に対する炭素原子の量の比率(「炭素原子比率(at%)」という。)との関係を示す炭素分布曲線において、極値を有し、前記炭素原子比率の最大の極値(極大値)と最小の極値(極小値)との差が5at%以上である。 (2)前記ガスバリアー層の全層厚の90%以上の領域において、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量(100at%)に対する各原子の平均原子比率が、下記式(A)又は(B)で表される序列の大小関係を有する。 式(A) (炭素平均原子比率)<(ケイ素平均原子比率)<(酸素平均原子比率) 式(B) (酸素平均原子比率)<(ケイ素平均原子比率)<(炭素平均原子比率)

IPC (5件)：

H05B 33/02 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04 ,  B05D 7/24 ,  H01L 31/049

FI (5件)：

H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04 ,  B05D7/24 302A ,  H01L31/04 562

Fターム (29件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC23 ,  3K107CC24 ,  3K107CC27 ,  3K107DD16 ,  3K107DD17 ,  3K107DD19 ,  3K107EE45 ,  3K107FF02 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  4D075BB46Z ,  4D075BB85X ,  4D075BB94Z ,  4D075CA42 ,  4D075DB31 ,  4D075DB36 ,  4D075DB37 ,  4D075DB43 ,  4D075DB48 ,  4D075DB53 ,  4D075DB55 ,  4D075DC19 ,  4D075DC24 ,  4D075DC36 ,  4D075EB42 ,  5F151JA05