特許
J-GLOBAL ID:201603002685503704

基板処理装置、及びデバイス製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013064381
公開番号(公開出願番号):WO2013-176222
出願日: 2013年05月23日
公開日(公表日): 2013年11月28日
要約:
微細なパターンを高精度に基板に形成することができる基板処理装置及びデバイス製造方法を提供する。基板上に、光エネルギーによって親撥液性に差が生じる機能層(カップリング剤)を塗布し、光パターニングを行って、機能層に親撥液性でコントラストを付けた後、電子デバイス等の為の原材料物質を含む溶液を超音波等によりミスト化して基板表面に噴霧することにより、基板表面のうちの表面エネルギーの高い親液部にミストを付着させて、原材料物質を選択的に堆積させる。
請求項(抜粋):
基板の表面に電子デバイスを形成する基板処理装置であって、 光エネルギーの照射によって親撥液性が改質する機能層を前記基板の表面に形成する機能層形成部と、 該機能層にパターン化された光エネルギーを照射して、親撥液性によるコントラストを付与したパターンを生成する光パターニング部と、 前記電子デバイスの為の材料物質の分子又は粒子を含む機能性溶液をミスト化した気体を、前記光パターニング部で処理された基板の表面に噴霧するミスト堆積部と、 を備える基板処理装置。
IPC (8件):
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/368
FI (8件):
H01L29/78 627C ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/368 L ,  H01L21/368 Z
Fターム (34件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC35 ,  3K107CC45 ,  3K107DD17 ,  3K107EE03 ,  3K107FF07 ,  3K107FF15 ,  3K107GG31 ,  5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD19 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG05 ,  5F053HH02 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053PP07 ,  5F110AA04 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD21 ,  5F110EE42 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK32 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01

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