特許
J-GLOBAL ID：201603002833002485
半水石膏を原料とした二水石膏スラリーの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-051149
公開番号（公開出願番号）：特開2016-104674
出願日： 2013年03月14日
公開日（公表日）： 2016年06月09日
要約：
【課題】 半水石膏の粉末を連続的に投入し、水と混合して二水石膏のスラリーを生成する場合、スラリー生成槽の内壁に二水石膏のスケールが成長する問題があった。この問題は、半水石膏粉末の粒度が小さいとき顕著であった。【解決手段】 スラリー生成槽の内壁のうち、スラリー水面以上の部分を40°C以上、好ましくは50°C以上、特に好ましくは60°C以上に加熱する。スケールの成長は、スラリー生成槽の側壁に凝結する水分と、飛散している半水石膏の反応によるものであるため、上記加熱によって凝結を防止することにより、スケールの成長も防止可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
スラリー生成槽に、液面より高い位置に供給口のある供給管を通して半水石膏粉末を連続的に供給して水と混合し、石膏スラリーを連続的に製造する方法において、
スラリー生成槽の内壁のうち、液面以上の部分を40°C以上に加熱してスラリー生成を行うことを特徴とする石膏スラリーの連続的な製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4G076AA14
, 4G076AA21
, 4G076AB08
, 4G076AB28
, 4G076AC01
, 4G076AC04
, 4G076BA24
, 4G076BB04
, 4G076BC09
, 4G076BD02
, 4G076BH01
, 4G076DA30
