特許
J-GLOBAL ID：201603003057585510
レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
, 正木 克彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-229075
公開番号（公開出願番号）：特開2015-090382
特許番号：特許第6028716号
出願日： 2013年11月05日
公開日（公表日）： 2015年05月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ベースポリマーと、下記一般式(1)-1で示されるスルホニウム塩又は下記一般式(1)-2で示されるヨードニウム塩と、スルホン酸、イミド酸又はメチド酸が発生する酸発生剤とを含有することを特徴とするレジスト材料。
(式中、R1は水素原子、炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基、炭素数7〜30のアラルキル基、炭素数2〜30のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、又は炭素数4〜12の複素環含有基であり、これらの基が複合してもよく、またこれらの基がヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、エーテル基、チオエーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、スルホニル基、ラクトン環、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アミド基、イミド基、スルホンアミド基、カーボネート基、スルフィド基、-N=CR-O-、-N=CR-S-、=N-O-N=のいずれかを有していてもよく、又はR1が酸不安定基であってもよい。Rは水素原子、メルカプト基、ヒドロキシ基、又は炭素数1〜3のアルキル基であり、あるいは式(1)中の窒素原子と結合して環を形成していてもよい。R2、R3は水素原子、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は炭素数2〜4のアルケニル基であり、R2とR3がそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。R4、R5、R6は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数6〜20のアリール基、又は炭素数7〜12のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がエーテル基、エステル基、カルボニル基、カーボネート基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アミド基、ニトロ基、スルトン基、スルホン酸エステル基、スルホン基、又はスルホニウム塩を含有する置換基によって置換されていてもよく、R4とR5が結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。R7、R8は炭素数6〜20のアリール基であり、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基を有していてもよい。mは2〜8の整数である。)
IPC (5件)：
G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, C08F 220/10 ( 200 6.01)
, C08F 20/10 ( 200 6.01)
G03F 7/004 501
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, C08F 220/10
, C08F 20/10
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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