特許
J-GLOBAL ID:201603003078535121
ウェハを分割する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
池田 成人
, 酒巻 順一郎
, 野田 雅一
, 山口 和弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-030094
公開番号(公開出願番号):特開2016-174146
出願日: 2016年02月19日
公開日(公表日): 2016年09月29日
要約:
【課題】低k層(例えば、低い誘電率を備えた層)のような表面層を有するウェハをダイに分割する方法において、時間的かつ費用効果を改善しウェハに対する損傷リスクを最小限にする。【解決手段】接着テープ4をウェハW上のデバイスを保護する為にウェハの一面1に付け、デバイスと接触する面の反対側にある接着テープの面に対して接着テープを支持する為に付ける手段10でキャリア7を付け、分割ラインに沿ってウェハを切断する。切断では、一面の反対側にあるウェハの面は機械的に一部が切断され、残部21は部分的切断または複数の部分的切断が形成された領域または複数の領域において、厚さ方向で一面の反対側にあるウェハの面から、機械的に切断および/またはレーザで切断および/またはプラズマで切断される。【選択図】図6
請求項(抜粋):
複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域(2)を一面(1)に有するウェハ(W)をダイへと分割する方法であって、当該方法は、
少なくとも一部、任意で全てのデバイスに接着する接着テープ(4)を前記ウェハ(W)上のデバイスを保護する為に前記ウェハ(W)の前記一面(1)に付けるステップと、
付ける手段(10)によって前記デバイスと接触する面の反対側にある前記接着テープ(4)の面に対して前記接着テープ(4)を支持する為にキャリア(7)を付けるステップと、
前記分割ラインに沿って前記ウェハ(W)を切断するステップと、
を含み、
前記付ける手段(10)は、前記キャリア(7)と接触する前記接着テープ(4)の全面領域にわたって設けられ、
前記一面(1)の反対側にある前記ウェハ(W)の面(6)は機械的に一部が切断され、
前記ウェハ(W)の残部は、部分的切断または複数の部分的切断が形成された領域または複数の領域において、厚さ方向で、前記一面(1)の反対側にある前記ウェハ(W)の前記面(6)から、機械的に切断および/またはレーザで切断および/またはプラズマで切断される、方法。
IPC (3件):
H01L 21/301
, H01L 21/304
, B23K 26/351
FI (6件):
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 S
, H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
, B23K26/351
Fターム (59件):
4E168AD04
, 4E168AD18
, 4E168JA12
, 4E168JA13
, 4E168JA14
, 4E168JA15
, 5F057AA04
, 5F057AA13
, 5F057AA41
, 5F057BA21
, 5F057BB03
, 5F057CA14
, 5F057CA31
, 5F057CA36
, 5F057DA11
, 5F057DA17
, 5F057DA22
, 5F057DA28
, 5F057EC15
, 5F057EC20
, 5F057FA16
, 5F057FA22
, 5F057FA28
, 5F057FA30
, 5F063AA04
, 5F063AA35
, 5F063AA43
, 5F063BA07
, 5F063BA20
, 5F063BA32
, 5F063BA33
, 5F063BA34
, 5F063BA47
, 5F063BA48
, 5F063CB03
, 5F063CB05
, 5F063CB23
, 5F063CB25
, 5F063CB26
, 5F063CB27
, 5F063DD01
, 5F063DD26
, 5F063DD37
, 5F063DD44
, 5F063DD46
, 5F063DD59
, 5F063DD85
, 5F063DD89
, 5F063DD95
, 5F063DF11
, 5F063DF12
, 5F063DG04
, 5F063DG11
, 5F063DG32
, 5F063DG34
, 5F063EE21
, 5F063EE42
, 5F063EE43
, 5F063EE44
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
ウエーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-033123
出願人:株式会社ディスコ
-
半導体チップの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-116504
出願人:日東電工株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-053959
出願人:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
-
半導体チップの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-349189
出願人:松下電器産業株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-325022
出願人:株式会社東芝
-
ウェーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-106940
出願人:株式会社ディスコ
-
ウエーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-171680
出願人:株式会社ディスコ
全件表示
審査官引用 (7件)
-
ウエーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-033123
出願人:株式会社ディスコ
-
半導体チップの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-116504
出願人:日東電工株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-053959
出願人:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
-
半導体チップの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-349189
出願人:松下電器産業株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-325022
出願人:株式会社東芝
-
ウェーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-106940
出願人:株式会社ディスコ
-
ウエーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-171680
出願人:株式会社ディスコ
全件表示
前のページに戻る