半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人前田特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013003731
公開番号（公開出願番号）：WO2014-033991
出願日： 2013年06月13日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

半導体装置は、半導体層上に、第2エミッタ領域(9)からバッファ領域(7)に向かって、第1ボディ領域(4)を越えてドリフト領域(6)の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜(12)及びゲート電極(13)を備えている。第2エミッタ領域(9)は、第1エミッタ領域(8)と接続すると共に、第1エミッタ領域におけるゲート電極(13)寄りの端部からゲート電極の下側に向かう横方向において、第2エミッタ領域(9)の拡散深さよりも長く、且つ第1ボディ領域(4)のゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、ゲート電極の下側にまで延在している。

請求項（抜粋）：

支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された半導体層と、前記半導体層の上部に形成された第1導電型の第1ボディ領域と、前記半導体層の上部に、前記第1ボディ領域と隣接するか又は前記第1ボディ領域から離間して形成された第2導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上部に形成された第2導電型のバッファ領域と、前記第1ボディ領域の上部に形成され、第2導電型の第1エミッタ領域及び該第1エミッタ領域よりも低濃度の第2導電型の第2エミッタ領域と、前記バッファ領域の上部に形成された第1導電型のコレクタ領域と、前記第1ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体層の上部に形成された第1導電型のボディ・コンタクト領域と、前記半導体層の上に、前記第2エミッタ領域から前記バッファ領域に向かって、前記第1ボディ領域を越えて前記ドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記半導体層の上に、前記第1エミッタ領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及び前記コレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、前記第2エミッタ領域は、前記第1エミッタ領域と接続すると共に、前記第1エミッタ領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第2エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第1ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在している半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L29/78 616S , H01L29/78 616V , H01L29/78 301D , H01L29/78 622 , H01L29/78 626Z

Fターム (33件)：

5F110AA07 , 5F110AA11 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ06 , 5F110HJ13 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F140AA17 , 5F140AA29 , 5F140AC21 , 5F140AC22 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BB13 , 5F140BC06 , 5F140BD19 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH49 , 5F140BK13 , 5F140CB08 , 5F140CD02

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