特許
J-GLOBAL ID：201603003345887490

半導体集積回路およびその動作方法

発明者：
鹿山 正規

鹿山 正規 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-259485
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107970
特許番号：特許第5998025号
出願日： 2012年11月28日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体集積回路は、入力端子と、DC-DCコンバータと、出力端子と、電源スイッチトランジスタと、電流制限回路と、入力電圧検出回路とを具備して、 前記入力端子には、RF受信信号の整流・平滑によって生成されるDC入力電圧が供給可能とされ、 前記DC-DCコンバータは、前記入力端子に供給される前記DC入力電圧から、所望の電圧レベルを有するDC出力電圧をコンバータ出力端子から生成可能とされ、 前記出力端子は、前記DC出力電圧を使用して外部のバッテリの充電もしくは外部の受電側システムの給電が可能とされ、 前記電源スイッチトランジスタは、前記出力端子と前記DC-DCコンバータの前記コンバータ出力端子との間の電気的導通を可能として、 前記電流制限回路は、前記コンバータ出力端子から前記出力端子に流れる前記電源スイッチトランジスタの負荷電流の電流制限を実行して、 前記入力電圧検出回路は、前記入力端子に供給される前記DC入力電圧のレベル検出によって入力電圧検出信号を生成して、当該入力電圧検出信号を前記電流制限回路に供給して、 前記電流制限回路は前記入力電圧検出回路から供給される前記入力電圧検出信号に応答して、前記電源スイッチトランジスタの前記電流制限による最大電流の値を制御して、 前記入力端子に供給される前記DC入力電圧が高レベルである場合には、前記電流制限回路は前記入力電圧検出信号に応答して前記電源スイッチトランジスタの前記電流制限による最大電流の前記値を大きい電流に制御して、 前記入力端子に供給される前記DC入力電圧が前記高レベルよりも低い低レベルである場合には、前記電流制限回路は前記入力電圧検出信号に応答して前記電源スイッチトランジスタの前記電流制限による最大電流の前記値を前記大きい電流よりも小さい電流に制御して、 前記電源スイッチトランジスタは、ソースとドレインが前記コンバータ出力端子と前記出力端子にそれぞれ接続されたPチャネルMOSトランジスタであり、 前記電源スイッチトランジスタの前記PチャネルMOSトランジスタのゲートが前記電流制限回路によって制御され、 前記電流制限回路は、制御PチャネルMOSトランジスタと検出抵抗と差動増幅器とを含み、 前記制御PチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは、前記コンバータ出力端子と前記検出抵抗の一端にそれぞれ接続され、前記検出抵抗の他端は接地電位に接続され、 前記差動増幅器の第1反転入力端子と第2反転入力端子と非反転入力端子には、基準電圧と前記入力電圧検出信号と前記検出抵抗の前記一端の検出電圧とがそれぞれ供給され、 前記PチャネルMOSトランジスタの前記ゲートと前記制御PチャネルMOSトランジスタのゲートとは、前記差動増幅器の出力信号により制御され、 前記差動増幅器は前記第1反転入力端子の前記基準電圧と前記第2反転入力端子の前記入力電圧検出信号のうちの低レベルの電圧レベルを選択して、当該選択された低レベルの電圧レベルに非反転入力端子の前記検出電圧が一致するように前記差動増幅器の前記出力信号が前記制御PチャネルMOSトランジスタのドレイン電流を制御する 半導体集積回路。
IPC (5件)：
H02J 7/00 ( 200 6.01) ,  H02J 7/10 ( 200 6.01) ,  H02M 3/155 ( 200 6.01) ,  H01M 10/44 ( 200 6.01) ,  H01M 10/46 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H02J 7/00 B ,  H02J 7/10 A ,  H02M 3/155 H ,  H02J 7/00 301 D ,  H01M 10/44 Q ,  H01M 10/46
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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