特許
J-GLOBAL ID:201603003897264234

半導体装置、又は該半導体装置を有する電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-021680
公開番号(公開出願番号):特開2016-149177
出願日: 2016年02月08日
公開日(公表日): 2016年08月18日
要約:
【課題】消費電力を低減した半導体装置、及びそれを有する電子機器を提供する。【解決手段】ワード線ドライバ回路内で起こるリーク電流を低減するために、ワード線ドライバ回路にスイッチ素子を設ける。具体的には、高電圧電源又は低電圧電源と、該ワード線ドライバ回路と、の間にスイッチ素子を設ける。メモリアクセスが無いとき、スイッチ素子をオフ状態として、高電圧電源又は低電圧電源から該ワード線ドライバ回路への電圧印加(又は、電流)を遮断する。また、ビット線ドライバ回路において、ビット線へのプリチャージによるスタンバイ電力を削減するため、スイッチ素子を設ける。具体的には、高電圧電源又は低電圧電源と、該ビット線と、の間にスイッチ素子を設ける。メモリアクセスが無いとき、スイッチ素子をオフ状態として、高電圧電源又は低電圧電源から該ビット線ドライバ回路への電圧印加(又は、電流)を遮断する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の回路と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記第1の回路は、NAND回路と、インバータ回路と、を有し、 前記インバータ回路は、第1の入力端子と、第1の出力端子と、第1の電位入力端子と、第2の電位入力端子と、を有し、 前記NAND回路は、第2の入力端子と、第3の入力端子と、第2の出力端子と、第3の電位入力端子と、第4の電位入力端子と、を有し、 前記第2の出力端子は、前記第1の入力端子と電気的に接続され、 前記第1の電位入力端子は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第4の電位入力端子は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方には、高電位電源からの電位が入力され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方には、低電位電源からの電位が入力され、 前記第1のトランジスタは、pチャネル型トランジスタであり、 前記第2のトランジスタは、nチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
IPC (15件):
G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/786 ,  G11C 11/405
FI (16件):
G11C11/34 354D ,  G11C11/34 301A ,  G11C11/34 354F ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/10 691 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  G11C11/34 352B
Fターム (183件):
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104FF26 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5B015HH04 ,  5B015JJ05 ,  5B015JJ07 ,  5B015KA07 ,  5B015KA23 ,  5B015KB93 ,  5B015PP01 ,  5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD69 ,  5F083BS01 ,  5F083BS13 ,  5F083BS27 ,  5F083BS50 ,  5F083EP22 ,  5F083EP75 ,  5F083GA02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA18 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083LA02 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA09 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA17 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA23 ,  5F083ZA25 ,  5F101BA17 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD39 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF01 ,  5F101BF09 ,  5F101BH26 ,  5F110AA03 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ19 ,  5M024AA06 ,  5M024AA07 ,  5M024BB08 ,  5M024BB15 ,  5M024CC02 ,  5M024CC03 ,  5M024CC22 ,  5M024CC38 ,  5M024LL01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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