特許

J-GLOBAL ID：201603004069030889

半導体装置の製造方法

発明者： 野田 政人 ,  宮原 真一朗
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-032963
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157736
出願日： 2015年02月23日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

【課題】 高品質の半導体装置を効率的に製造することが可能な製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、SiC基板の表面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記SiC基板を熱処理する工程と、前記熱処理において前記SiC基板の裏面に形成されたカーボンリッチ層を除去する工程と、前記カーボンリッチ層が除去された前記裏面に反り調整膜を形成する工程を有する。前記反り調整膜を形成する前に前記SiC基板が反りを有しており、前記反り調整膜を形成した後に前記SiC基板の反りが緩和される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、 SiC基板の表面に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜が形成された前記SiC基板を熱処理する工程と、 前記熱処理において前記SiC基板の裏面に形成されたカーボンリッチ層を除去する工程と、 前記カーボンリッチ層が除去された前記裏面に反り調整膜を形成する工程、 を有し、 前記反り調整膜を形成する前に前記SiC基板が反りを有しており、前記反り調整膜を形成した後に前記SiC基板の反りが緩和される製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/265 602Z ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/265 Z ,  H01L21/302 105B

Fターム (9件)：

5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA38