特許
J-GLOBAL ID：201603004135737158
パワーモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-053530
公開番号（公開出願番号）：特開2014-178264
特許番号：特許第5959457号
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の半導体チップと、
各々が、前記複数の半導体チップのうちの一つの周辺に設けられた複数の温度センサと、
前記各温度センサで検出された、パワーサイクルにおける最大温度と最小温度の差である温度の変化量ΔTと、前記最大温度と前記最小温度の平均である温度の平均値Tmの2変数に基づいて、前記複数の半導体チップの寿命を診断する診断部と、
前記診断の結果を表わす信号を生成する出力部と、
前記診断の結果を表わす信号を外部へ出力する出力端子とを備え、
前記診断部は、
前記温度の変化量ΔTと前記温度の平均値Tmの2次元の定義域がメッシュに分割され、前記メッシュの格子点のパワーサイクルごとの前記各半導体チップの劣化度合いRの値を記憶する記憶部を備え、前記記憶部に記憶されている前記劣化度合いRの値は、A、B、Cを係数として、式(1)および(2)を満たし、
前記診断部は、さらに、
指定された温度の変化量ΔTと温度の平均値Tmが含まれる前記メッシュの格子点の劣化度合いRの値を用いた補間によって、前記指定された温度の変化量ΔTと温度の平均値Tmに対応する前記各半導体チップの劣化度合いRを算出する算出部を含む、パワーモジュール。
IPC (2件)：
G01R 31/26 ( 201 4.01)
, H02M 7/48 ( 200 7.01)
G01R 31/26 A
, H02M 7/48 Z
