結晶性酸化物半導体膜および半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131159
公開番号（公開出願番号）：特開2016-201555
出願日： 2016年06月30日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
要約：

【課題】電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】結晶基板の主面が、a面、m面またはr面であって、主面の全部または一部にコランダム構造を有する結晶基板20上に、直接にまたは他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜を積層して、電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を得る。そして、得られた電気特性に優れた結晶性酸化物半導体膜を半導体装置に用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、主面がm面であり、膜厚が2.2μm以上であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。

IPC (4件)：

H01L 21/365 , H01L 29/786 , C23C 16/40 , C23C 20/08

FI (5件)：

H01L21/365 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , C23C16/40 , C23C20/08

Fターム (81件)：

4K022AA02 , 4K022BA02 , 4K022BA09 , 4K022BA10 , 4K022BA15 , 4K022BA20 , 4K022BA21 , 4K022BA28 , 4K022BA33 , 4K022DA09 , 4K022DB01 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030BB01 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030LA12 , 5F045AB40 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD08 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045CA15 , 5F045DA57 , 5F045DP04 , 5F045DP07 , 5F045EE03 , 5F045EK06 , 5F053BB60 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053HH01 , 5F053KK02 , 5F053KK10 , 5F053LL03 , 5F053LL05 , 5F053RR11 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34

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