特許

J-GLOBAL ID：201603004273623686

基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

発明者： 和田 優一 ,  芦原 洋司 ,  立野 秀人 ,  佐久間 春信
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013070343
公開番号（公開出願番号）：WO2014-017638
出願日： 2013年07月26日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

要約課題反応管内での処理ガスの再液化を抑制する。解決手段 基板を収容する処理容器と、前記処理容器を閉塞する蓋体と、前記基板に反応物を供給する供給部と、前記基板を加熱する第1の加熱部と、前記蓋体付近を流れる気体状態の前記反応物を加熱する第2の加熱部と、前記蓋体を加熱する発熱体と、を有する

請求項（抜粋）：

基板を収容する処理容器と、 前記処理容器を閉塞する蓋体と、 前記基板に反応物を供給する供給部と、 前記基板を加熱する第1の加熱部と、 前記蓋体付近を流れる気体状態の前記反応物を加熱する第2の加熱部と、 前記蓋体を加熱する発熱体と、 を有する基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L21/31 E ,  H01L21/316 S

Fターム (33件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AF03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE02 ,  5F045EE11 ,  5F045EG02 ,  5F045EJ06 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK06 ,  5F045EK07 ,  5F045EK11 ,  5F045EK22 ,  5F045GB05 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF52 ,  5F058BF54 ,  5F058BF63 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ06