半導体装置、半導体装置の作製方法および電子機器

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-103537
公開番号（公開出願番号）：特開2016-006861
出願日： 2015年05月21日
公開日（公表日）： 2016年01月14日
要約：

【課題】半導体装置のしきい値電圧の補正手段を提供する。【解決手段】インバータを構成するトランジスタのうち、少なくとも一つのトランジスタが半導体と、半導体に電気的に接続するソース電極あるいはドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート電極と半導体との間に設けられる電荷捕獲層とを有する半導体装置において、トランジスタのゲート電極の電位をソース電極やドレイン電極よりも高くし、かつ、5s以下の短時間保持することで電荷捕獲層に電子を捕獲させ、しきい値電圧を増大させる。この際、それぞれの半導体装置のゲート電極とソース電極やドレイン電極の電位差を異なるものとすることにより、半導体装置のトランジスタのしきい値電圧を適切なものとする。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

第1のトランジスタと第2のトランジスタとを有する半導体装置において、前記第1のトランジスタは、第1の酸化物半導体と、前記第1の酸化物半導体に電気的に接続する第1の電極と、前記第1の酸化物半導体と重なる第1のゲート電極と、前記第1の酸化物半導体と前記第1のゲート電極の間に挟んで設けられる第1の電荷捕獲層とを有し、前記第2のトランジスタは、第2の酸化物半導体と、前記第2の酸化物半導体および前記第1の電極に電気的に接続する第2の電極と、前記第2の酸化物半導体と重なり、かつ前記第1の電極と電気的に接続する第2のゲート電極と、前記第2の酸化物半導体と前記第2のゲート電極の間に挟んで設けられる第2の電荷捕獲層とを有し、前記第2の電荷捕獲層より前記第1の電荷捕獲層のほうが、多く電子が保持されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (15件)：

H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 27/11 , H01L 27/108 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/363 , C23C 14/08

FI (20件)：

H01L29/78 617U , H01L27/08 311A , H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L27/08 102C , H01L27/08 331E , H01L27/10 441 , H01L27/10 381 , H01L27/10 321 , H01L29/78 371 , H01L21/316 X , H01L21/316 Y , H01L21/318 B , H01L21/318 C , H01L21/316 M , H01L21/318 M , H01L21/363 , C23C14/08 K , C23C14/08 N

Fターム (165件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA45 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC34 , 4K029GA01 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AC02 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB15 , 5F048BD06 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF02 , 5F058BF05 , 5F058BF06 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F083AD02 , 5F083AD69 , 5F083BS02 , 5F083BS50 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083ER03 , 5F083GA06 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F101BA01 , 5F101BC01 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BG09 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103GG02 , 5F103GG03 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103LL08 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103NN04 , 5F103NN06 , 5F103PP03 , 5F103PP11 , 5F103PP12 , 5F103PP13 , 5F103PP15 , 5F103RR05 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110CC01 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF33 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HM02 , 5F110HM13 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-245924 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及び半導体装置の作製方法、並びに酸化膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-038884 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-044636 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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