特許
J-GLOBAL ID:201603004577031319

薄膜積層素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人深見特許事務所
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013066463
公開番号(公開出願番号):WO2014-002794
出願日: 2013年06月14日
公開日(公表日): 2014年01月03日
要約:
本発明の目的は、損傷の少ないアライメントマークをエッチングの際のフォトマスクの位置決めに使用が可能である薄膜積層素子の製造方法を提供することである。 本発明の薄膜積層素子の製造方法は、フォトリソグラフィを用いたエッチングにより、薄膜積層体7に素子部10およびアライメントマークを形成する第2の工程と、薄膜積層体7上に感光性レジストを塗布するステップと、アライメントパターンを有するフォトマスクを、アライメントパターンと前の工程で形成されたアライメントマークとの位置合わせにより、感光性レジスト上に配置するステップと、感光性レジストを露光し、現像するステップと、感光性レジストが塗布された薄膜積層体をエッチングすることにより、薄膜積層体に素子部およびアライメントマークを形成するステップとを有する第3の工程とを備える。
請求項(抜粋):
薄膜を複数層有する薄膜積層体を形成するステップを有する第1の工程と、 前記薄膜積層体上に感光性レジストを塗布するステップと、 フォトマスクを用いて前記レジストを露光し、現像するステップと、 前記現像された感光性レジストが塗布された前記薄膜積層体をエッチングすることにより、前記薄膜積層体に素子部およびアライメントマークを形成するステップと、 前記エッチングされた薄膜積層体上から前記感光性レジストを除去するステップとを有する第2の工程と、 前記薄膜積層体上に感光性レジストを塗布するステップと、 アライメントパターンを有するフォトマスクを、前記アライメントパターンと、前の工程で形成されたアライメントマークとの位置を合わせることにより、前記感光性レジスト上の所定の位置に配置するステップと、 前記フォトマスクを用いて前記感光性レジストを露光し、現像するステップと、 前記現像された感光性レジストが塗布された前記薄膜積層体をエッチングすることにより、前記薄膜積層体に素子部およびアライメントマークを形成するステップと、 前記エッチングされた薄膜積層体上から前記感光性レジストを除去するステップとを有する第3の工程と、 を備えることを特徴とする薄膜積層素子の製造方法。
IPC (1件):
H01L 21/027
FI (2件):
H01L21/30 520B ,  H01L21/30 522A
Fターム (7件):
5F146EA02 ,  5F146EA04 ,  5F146EA09 ,  5F146EA13 ,  5F146EA15 ,  5F146EA19 ,  5F146FC01

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