特許
J-GLOBAL ID：201603004634099936

希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石形成用ターゲット

発明者：
中野 正基

中野 正基 について

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福永 博俊

福永 博俊 について

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柳井 武志

柳井 武志 について

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板倉 賢

板倉 賢 について

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澤渡 広信

澤渡 広信 について


出願人/特許権者：
JX日鉱日石金属株式会社

JX日鉱日石金属株式会社 について


代理人 (2件)： 小越 勇 ,  小越 一輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-115719
公開番号（公開出願番号）：特開2015-230944
出願日： 2014年06月04日
公開日（公表日）： 2015年12月21日
要約：
【課題】良好な磁気特性を有し、量産性・再現性に優れた、希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石を作製するためのターゲットを提供する。【解決手段】パルスレーザーデポジション法による成膜で使用するターゲットの組成及びパルスレーザー強度密度を最適化することにより、単相からなる1枚のターゲットから、α-Fe相とNd2Fe14B相とが三次元的に交互配列したナノコンポジット構造を有する希土類薄膜を成膜する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
Nd、Fe、Bを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、α-Fe相とNd2Fe14B相とが三次元的に交互配列した組織からなり、各相の平均結晶粒径が10〜30nmであることを特徴とする希土類薄膜磁石。
IPC (8件)：
H01F 1/057 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/16 ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18 ,  C22C 38/00 ,  H01F 41/02
FI (8件)：
H01F1/04 H ,  C23C14/24 E ,  C23C14/58 ,  C23C14/16 D ,  H01F10/14 ,  H01F41/18 ,  C22C38/00 303D ,  H01F41/02 G
Fターム (25件)：
4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BB08 ,  4K029BC06 ,  4K029CA01 ,  4K029DB04 ,  4K029DB08 ,  4K029DB20 ,  4K029EA09 ,  4K029GA01 ,  5E040AA04 ,  5E040CA01 ,  5E040HB19 ,  5E040NN06 ,  5E040NN14 ,  5E040NN17 ,  5E049AA01 ,  5E049AC05 ,  5E049BA01 ,  5E049CB01 ,  5E049FC10 ,  5E062CC10 ,  5E062CD04 ,  5E062CG02
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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