特許

J-GLOBAL ID：201603005012990203

半導体電極

発明者： 佐野 双美 ,  脇 一太郎 ,  杉山 正和 ,  藤井 克司
出願人/特許権者： 昭和シェル石油株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 伊藤 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267699
公開番号（公開出願番号）：特開2016-027936
出願日： 2012年12月06日
公開日（公表日）： 2016年02月25日
要約：

【課題】半導体/電解質界面で生じる「化学反応の促進による変換効率の向上」に寄与し得る光触媒(あるいは半導体)のバンド端電位を適宜変更し得る技術の提供。【解決手段】半導体表面に、当該半導体とは異なる、バンドギャップが4eV以下である半導体又は金属である材料が10nm以下の膜厚にて膜状に形成されていることを特徴とする半導体電極。前記半導体としては窒化ガリウム、金属材料としては二酸化チタンが、有用である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体表面に、当該半導体とは異なる、バンドギャップが4eV以下である半導体又は金属である材料が10nm以下の膜厚にて膜状に形成されていることを特徴とする半導体電極。

IPC (3件)：

B01J 35/02 ,  H01M 4/58 ,  B01J 27/24

FI (3件)：

B01J35/02 J ,  H01M4/58 ,  B01J27/24 M

Fターム (39件)：

4G169AA03 ,  4G169BA01B ,  4G169BA04A ,  4G169BA04B ,  4G169BA48A ,  4G169BB11A ,  4G169BB11B ,  4G169BC17A ,  4G169BC17B ,  4G169CC33 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15X ,  4G169EB15Y ,  4G169EC27 ,  4G169EC28 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HC21 ,  4G169HC28 ,  4G169HD13 ,  4G169HE09 ,  4G169HE10 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032HH04 ,  5H032HH08 ,  5H050BA15 ,  5H050CA01 ,  5H050CA02 ,  5H050CB01 ,  5H050CB02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA16