半導体記憶回路

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-215035
公開番号（公開出願番号）：特開2014-071920
特許番号：特許第6022874号
出願日： 2012年09月27日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第一のインバータの出力を電気的に書込可能な第一の不揮発性メモリのソースに接続し、前記第一の不揮発性メモリのドレインを第二のインバータの入力に接続し、前記第二のインバータの出力を第二の不揮発性メモリのソースに接続し、前記第二の不揮発性メモリのドレインを前記第一のインバータの入力に接続した、前記第二の不揮発性メモリの前記ドレインを出力とし、さらに、前記第一及び第二のインバータを構成する各々のトランジスタの動作を制御する回路と、前記第一及び第二の不揮発性メモリの出力と、次段の前記インバータを接続する配線と、VSSもしくはVDDとの間に配置されたトランジスタと、を有し、前記第一及び第二の不揮発性メモリのドレインをVSSもしくはVDDに前記トランジスタを介して接続することができる半導体記憶回路。

IPC (4件)：

G11C 11/41 ( 200 6.01) , G11C 11/412 ( 200 6.01) , G11C 14/00 ( 200 6.01) , G11C 16/04 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G11C 11/40 A , G11C 11/40 301 , G11C 11/40 101 , G11C 17/00 623 Z

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭60-050695
特開昭58-115691
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-049912 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

特開昭60-050695
特開昭58-115691
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-049912 出願人：株式会社東芝

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