特許
J-GLOBAL ID：201603005328063045
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高尾 建吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-069853
公開番号（公開出願番号）：特開2013-200802
特許番号：特許第5982148号
出願日： 2012年03月26日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のページが記憶された記憶部と、
先読み管理テーブルを保持する保持部と、
外部から入力された論理アドレスを含む外部コマンドに基づいて、当該論理アドレスに対応する物理アドレスを含む内部コマンドを発行するコマンド発行部と、
を備え、
前記先読み管理テーブルには、所望のページの次に読み出すべきページが記憶されている物理アドレスが記述されており、
前記コマンド発行部は、一の外部コマンドが入力されることにより、当該外部コマンドに含まれている論理アドレスに対応する第1の物理アドレスを含む第1の内部コマンドと、当該第1の物理アドレスに記憶されている第1のページの次に読み出すべき第2のページが記憶されている第2の物理アドレスを含む第2の内部コマンドとを発行する、半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G06F 12/02 ( 200 6.01)
, G06F 12/00 ( 200 6.01)
G06F 12/02 580 A
, G06F 12/02 570 A
, G06F 12/00 597 U
