特許

J-GLOBAL ID：201603005344931880

半導体材料の選択堆積方法

発明者： ベンジャマン・ヴァンソン ,  ロヘル・ロー ,  マッティ・カイマックス
出願人/特許権者： アイメック
代理人 (4件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫 ,  中野 晴夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-006913
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169596
特許番号：特許第6005361号
出願日： 2012年01月17日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1半導体材料の上に第2半導体材料を選択的に堆積する方法であって、 少なくとも第1領域(11)と第2領域(12)とを含む、パターニングされた基板(10)を提供する工程であって、第1領域(11)は露出した第1半導体材料を含み、第2領域(12)は露出した絶縁材料を含む工程と、 パターニングされた基板(10)の上に第2半導体材料を含む膜を堆積する工程であって、膜を堆積する工程は、第2半導体材料の前駆体、Cl化合物とは反応しないキャリアガス、および錫テトラクロライドを提供することにより、第1領域(11)の第1半導体材料の上に第2半導体材料を選択的に形成する工程を含む工程と、を含み、 堆積チャンバ中に供給されたSnCl4流量は、選択堆積を達成するのに必要な最小量のClにより下限が制限され、成長した材料中で許容できるSnの最大量に対応するSnCl4流量と成長がエッチングに変わるSnCl4流量との間の最小により上限が制限される方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/04 ,  H01L 27/08 321 E

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 多結晶シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-069641   出願人：ソニー株式会社
• 特許第6376340号
  

審査官引用 (2件)

• 多結晶シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-069641   出願人：ソニー株式会社
• 特許第6376340号