半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：家入健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063809
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192202
特許番号：特許第5939185号
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リードフレームと、前記リードフレームの一部に搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記リードフレームとを少なくとも接合するZn-Al系はんだと、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、前記リードフレームの表面のうち前記Zn-Al系はんだとの接合面に形成され、Cu,Au,Agのうちの何れかの金属からなる第1めっき層と、前記リードフレームの表面のうち前記封止樹脂との密着面にのみ形成され、Ni,Al及びそれらの酸化物のうちの何れかの金属からなる第2めっき層と、を備えた半導体装置。

IPC (1件)：