特許

J-GLOBAL ID：201603005458393241

マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びマルチ荷電粒子ビームの不良ビーム遮蔽方法

発明者： 山下 浩 ,  吉川 良一 ,  千葉 一浩 ,  松本 裕史
出願人/特許権者： 株式会社ニューフレアテクノロジー
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-167673
公開番号（公開出願番号）：特開2016-054291
出願日： 2015年08月27日
公開日（公表日）： 2016年04月14日
要約：

【課題】マルチビームのうちブランキング制御不能なビームON固定の不良ビームを形成しないブランキング装置を提供する。【解決手段】ブランキングプレートは、制御電極24と、制御電極24に、マルチビームのうちの対応ビームをビームONとビームOFFの状態に切り替えるためのブランキング制御用の異なる2つの電位を選択的に印加する制御回路41と、制御電極24と組みとなって対応ビームのブランキング偏向を行う、グランド接続された対向電極26と、制御電極24の電位がグランド電位に固定された場合に、グランド接続された対向電極26の電位をグランド電位から変更する制御回路43と、を備える。【選択図】図24

請求項（抜粋）：

第1の電極と、 前記第1の電極に、マルチ荷電粒子ビームのうちの対応ビームをビームONとビームOFFの状態に切り替えるためのブランキング制御用の異なる2つの電位を選択的に印加する第1の電位印加部と、 前記第1の電極と組みとなって対応ビームのブランキング偏向を行う、グランド接続された第2の電極と、 をそれぞれ有し、アレイ配置され、マルチ荷電粒子ビームの対応ビームのブランキング制御を行う複数の個別ブランキング機構と、 前記複数の個別ブランキング機構の第2の電極の電位をグランド電位から変更する少なくとも1つの電位変更部と、 を備え、 前記電位変更部は、前記複数の個別ブランキング機構の少なくとも1つの第1の電極の電位がグランド電位に固定された場合に、グランド電位に固定された第1の電極に対応する第2の電極の電位をグランド電位から変更することを特徴とするマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  H01J 37/305

FI (3件)：

H01L21/30 541W ,  G03F7/20 504 ,  H01J37/305 B

Fターム (7件)：

5C034BB03 ,  5F056AA33 ,  5F056BA09 ,  5F056BB03 ,  5F056CB05 ,  5F056EA03 ,  5F056EA04