特許
J-GLOBAL ID：201603005547372681
n型光吸収層用合金とその製造方法及び太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
水野 恒雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013063086
公開番号（公開出願番号）：WO2013-172253
出願日： 2013年05月09日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
光吸収層とバッファ層との界面に、pnホモ接合層を高精度に成膜でき、太陽電池の変換効率を向上させることができるn型CIGS合金またはn型CIGSS合金の製造方法及び太陽電池の製造方法を提供する。n型CIGS合金は、銅、インジウム、ガリウムを混合してアンプルに真空封入し、高温で結晶化させてCIG合金を作製する第1工程と、CIG合金を粉砕してCIG合金粉末を作成する第2工程と、粉砕されたCIG合金にセレン、及び、IIb族元素とVIb族元素からなる化合物を混合し、高温で結晶化させてn型CIGS合金を作製する第3工程とで製造される。IIb族元素とVIb族元素とからなる化合物は、セレン化カドミウム又はセレン化亜鉛である。n型CIGSS5元系合金は、さらにイオウを含み、第3工程でイオウが添加される。
請求項（抜粋）：
銅、インジウム、ガリウム、セレン及び、IIb族元素からなる、太陽電池の成膜材料として用いるn型光吸収層用合金。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F151AA10
, 5F151CB30
, 5F151FA04
, 5F151FA06
