特許
J-GLOBAL ID：201603005662135634

半導体メモリ装置及び半導体装置

発明者：
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-033580
公開番号（公開出願番号）：特開2013-171895
特許番号：特許第5973182号
出願日： 2012年02月20日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】トランジスタと、キャパシタと、ワード線と、ビット線と、を有し、 前記トランジスタは、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート絶縁物と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、 導電層の上方に前記ゲート絶縁物が位置し、 前記導電層は、前記ゲート電極として機能する領域と、前記ワード線として機能する領域と、を有し、 前記ゲート絶縁物の上方に前記導電層と重なる領域を有する前記半導体膜が位置し、 前記半導体膜の上方に前記ソース電極及び前記ドレイン電極が位置し、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上方に絶縁物が位置し、 前記絶縁物が有する開口部に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続される導体が位置し、 前記導体は、前記キャパシタの電極の一方に電気的に接続されており、 前記キャパシタの電極の他方は、前記ビット線に電気的に接続されており、 前記導電層は、前記導体の外周部以遠にある閉曲線あるいは多角形に重なる領域を有する半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 27/10 681 A ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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