多成分磁場センサー

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井関勝守 , 金子修平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-528465
公開番号（公開出願番号）：特表2016-529492
出願日： 2014年07月18日
公開日（公表日）： 2016年09月23日
要約：

本発明は、磁場の2つ又は3つの成分を測定するための磁場センサー装置(10)に関する。このため、装置(10)は、2つのハーフブリッジ(16)を有する少なくとも1つのホイートストンブリッジ(14)を備え、各ハーフブリッジ(16)は、少なくとも2つのブリッジ抵抗器(30)を有し、2つのブリッジ抵抗器(30)の少なくとも1つは、X/Y磁場センサー面(20)に位置する磁場成分(34)に関する磁場感応性抵抗器(18)である。2つの磁場感応性ブリッジ抵抗器(18)間に、強磁性体の磁束集中素子(22)が対称に配置され、磁束集中素子(22)は、X/Y磁場センサー面(20)に対して垂直に配向されたZ磁場成分(24)に対して非対称な磁場成分と、X/Y磁場センサー面(20)に位置する磁場成分とを生成する。付加的な観点は、このような磁場センサー装置(10)により外部磁場の2次元又は3次元の配向を決定するための方法を提案する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

磁場の2つ又は3つの成分を決定するための磁場センサー装置(10)であって、2つのハーフブリッジ(16)を有する少なくとも1つのホイートストンブリッジ(14)を備え、前記各ハーフブリッジ(16)が少なくとも2つのブリッジ抵抗器(30)を有し、前記2つのブリッジ抵抗器(30)の少なくとも1つがX/Y磁場センサー面(20)に位置する磁場成分(34)に関する磁場感応性抵抗器(18)である磁場センサー装置(10)において、前記2つの磁場感応性ブリッジ抵抗器(18)間に強磁性体の磁束集中素子(22)が対称に配置され、該磁束集中素子(22)は、前記X/Y磁場センサー面(20)に対して垂直に配向されたZ磁場成分(24)に関して、前記X/Y磁場センサー面(20)に位置する非対称な磁場成分を生成することを特徴とする磁場センサー装置(10)。

IPC (3件)：

G01R 33/02 , G01R 33/09 , H01L 43/08

FI (4件)：

G01R33/02 L , G01R33/02 V , G01R33/06 R , H01L43/08 Z

Fターム (15件)：

2G017AA02 , 2G017AA03 , 2G017AA10 , 2G017AB09 , 2G017AC07 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017BA09 , 5F092AA13 , 5F092AB01 , 5F092AC05 , 5F092AC06 , 5F092AC11 , 5F092AD06 , 5F092FA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

磁界の空間成分を測定する磁界センサ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-206609 出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-230108 出願人：株式会社東海理化電機製作所

審査官引用 (2件)

磁界の空間成分を測定する磁界センサ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-206609 出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-230108 出願人：株式会社東海理化電機製作所

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