特許

J-GLOBAL ID：201603005783487988

薄膜トランジスター及びその製作方法、アレイ基板、表示装置及びストップ層

発明者： ▲劉▼ 翔 ,  王 ▲剛▼
出願人/特許権者： 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
代理人 (3件)： 村山 靖彦 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-540036
公開番号（公開出願番号）：特表2016-502264
出願日： 2013年10月30日
公開日（公表日）： 2016年01月21日
要約：

本発明で提供される薄膜トランジスター及びその製作方法、アレイ基板及び表示装置は、薄膜トランジスターの電気性能及び表示装置における表示画像の品質を向上させる。本発明で提供される薄膜トランジスターは、基板上にあるゲート電極、ソース・ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層及び第1金属ストップ層を備え、前記ゲート絶縁層は前記ゲート電極と前記半導体層との間にあり、前記第1金属ストップ層は前記ソース・ドレイン電極とゲート絶縁層との間にあり、前記第1金属ストップ層と前記半導体層は同一層に設けられ、前記第1金属ストップ層は、ソース・ドレイン電極を形成する材料とゲート電極を形成する材料とがお互いに拡散することを阻止する。

請求項（抜粋）：

基板上に位置するゲート電極、ソース・ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層及び第1金属ストップ層を備え、前記ゲート絶縁層は前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置し、前記第1金属ストップ層は前記ソース・ドレイン電極とゲート絶縁層との間に位置し、前記第1金属ストップ層及び前記半導体層は同一層に設けられ、前記第1金属ストップ層は、ソース・ドレイン電極を形成する材料とゲート電極を形成する材料とがお互いに拡散することを阻止することを特徴とする薄膜トランジスター。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30

FI (13件)：

H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616J ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338

Fターム (94件)：

2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB02 ,  2H192CB05 ,  2H192CB42 ,  2H192CB71 ,  2H192CB83 ,  2H192CC01 ,  2H192CC41 ,  2H192EA43 ,  2H192EA74 ,  2H192GA43 ,  2H192HA13 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD64 ,  4M104FF18 ,  4M104HH04 ,  5C094AA02 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE25 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM05 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-263371   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-074685   出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
• アレイ基板、これを有する表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-188757   出願人：三星電子株式会社