特許

J-GLOBAL ID：201603005819650406

サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法

発明者： 加藤 昌宏 ,  渡辺 慎
出願人/特許権者： 株式会社アライドマテリアル
代理人 (2件)： 池田 憲保 ,  福田 修一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013074641
公開番号（公開出願番号）：WO2014-050585
出願日： 2013年09月12日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：

本発明の課題は、サファイア単結晶を得るために最適化され、再利用が可能なサファイア単結晶育成用坩堝を提供することにある。本発明のサファイア単結晶育成用坩堝は、モリブデンを主成分とする坩堝形状の母材3と、母材3の内周にのみコーティングされ、タングステンと不可避不純物で構成されるコーティング層5を有し、コーティング層5は、表面粗さがRa5μm以上、20μm以下である。

請求項（抜粋）：

モリブデンを主成分とする坩堝形状の母材と、 前記母材の内周にコーティングされ、タングステンと不可避不純物で構成されるコーティング層と、 を有し、 前記コーティング層は、表面粗さがRa5μm以上、20μm以下である、サファイア単結晶育成用坩堝。

IPC (3件)：

C30B 29/20 ,  C30B 11/00 ,  F27B 14/10

FI (3件)：

C30B29/20 ,  C30B11/00 C ,  F27B14/10

Fターム (14件)：

4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077CD08 ,  4G077EG01 ,  4G077EG02 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077MA01 ,  4G077MA02 ,  4G077MB14 ,  4K046BA05 ,  4K046CA04 ,  4K046CB12 ,  4K046CB16