特許
J-GLOBAL ID：201603005958735033
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片山 修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147538
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011350
特許番号：特許第5983999号
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物半導体層上に、上面および外側面を有し、ニッケルを含有する金属パターンを形成する工程と、
前記金属パターンの前記上面および前記外側面を含む露出面に対して無電解めっきによってバリア層を形成し、前記金属パターンの前記上面および前記外側面を前記バリア層で被覆する工程と、
前記バリア層上に、無電解めっきによって導電層を形成する工程と、
前記窒化物半導体層上に、前記導電層を覆う絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/423 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 21/288 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
H01L 29/80 M
, H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/58 Z
, H01L 29/44 Y
, H01L 21/288 E
, H01L 29/06 301 F
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
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