特許

J-GLOBAL ID：201603006059828290

有機EL素子及びその製造方法

発明者： 西村 涼 ,  鄭 旬紋 ,  柴沼 俊彦
出願人/特許権者： JX日鉱日石エネルギー株式会社
代理人 (1件)： 川北 喜十郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013062669
公開番号（公開出願番号）：WO2013-187149
出願日： 2013年04月30日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：

有機EL素子30は、基板10上に、第1凹凸形状を有する凹凸パターン層12と第1電極16と有機層18と第2電極層20とをこの順に備え、さらに、凹凸パターン層12と第1電極16との間に補助層14を備える。補助層14の第1電極側の表面が第2凹凸形状を有し、第1凹凸形状の深さの標準偏差に対する第2凹凸形状の深さの標準偏差の変化率が70%以下である。リーク電流の発生を抑制しつつ高い光取り出し効率を有する有機EL発光素子が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1凹凸形状を有する凹凸パターン層と、第1電極と、有機層と、第2電極層とをこの順に備え、 さらに、前記凹凸パターン層と第1電極との間に補助層を備え、 前記補助層の第1電極側の表面が第2凹凸形状を有し、 第1凹凸形状の深さの標準偏差に対する第2凹凸形状の深さの標準偏差の変化率が70%以下であることを特徴とする有機EL素子。

IPC (4件)：

H05B 33/02 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/28

FI (4件)：

H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/28

Fターム (20件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC05 ,  3K107CC29 ,  3K107CC33 ,  3K107CC37 ,  3K107CC45 ,  3K107DD18 ,  3K107DD22 ,  3K107DD24 ,  3K107DD25 ,  3K107DD28 ,  3K107DD46X ,  3K107EE31 ,  3K107FF06 ,  3K107FF15 ,  3K107GG06 ,  3K107GG11 ,  3K107GG28