特許
J-GLOBAL ID:201603006381012858
有用層を移動する方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
池田 成人
, 酒巻 順一郎
, 野田 雅一
, 山口 和弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-014598
公開番号(公開出願番号):特開2016-149538
出願日: 2016年01月28日
公開日(公表日): 2016年08月18日
要約:
【課題】キャリア上へ有用層を移動する新規な方法を提供する。【解決手段】 本発明は、キャリア上へと有用層を移動する方法に関し、脆化面と第1の基板の表面との間に有用層の境界面を画定するように第1の基板中へ軽量種を注入することによって脆化面を形成するためのステップと、破断すべき組立品を形成するために第1の基板の表面上へとキャリアを載置するステップと、支持部上へと有用層を移動するように脆化面に沿って第1の基板を熱破断処理するためのステップとを含む。本発明によれば、本方法は、熱破断処理するステップ中に、キャリアと第1の基板との間の界面のところでの周辺部接着の程度を低下させるための処理ステップを含む。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
キャリア(4)上へと有用層(3)を移動する方法であって、
脆化面(2)と第1の基板(1)の表面との間に有用層(3)の境界面を画定するように前記第1の基板(1)中へ軽量種を注入することによって前記脆化面(2)を形成するステップと、
破断すべき組立品(5)を形成するために前記第1の基板(1)の前記表面上へと前記キャリア(4)を載置するステップと、
前記キャリア(4)上へと前記有用層(3)を移動するように前記脆化面(2)に沿って前記第1の基板(1)を熱破断処理するステップと、
を含む方法において、
前記熱破断処理するステップ中に、前記キャリア(4)と前記第1の基板(1)との間の前記界面のところで周辺部接着の程度を低下させるための処理ステップを含むことを特徴とする、方法。
IPC (3件):
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/265
FI (3件):
H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
, H01L21/02 B
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
基板及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-025481
出願人:キヤノン株式会社
-
半導体ウエハの製造方法、使用方法および利用方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-334544
出願人:キヤノン株式会社
-
材料複合体の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-412293
出願人:エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズ, コミサリアタレネルジーアトミック
-
制御された劈開プロセス
公報種別:公表公報
出願番号:特願平10-549371
出願人:シリコン・ジェネシス・コーポレーション
-
層転写により構造を製造する方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2010-524479
出願人:エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレターテクノロジーズ
全件表示
審査官引用 (5件)
-
基板及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-025481
出願人:キヤノン株式会社
-
半導体ウエハの製造方法、使用方法および利用方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-334544
出願人:キヤノン株式会社
-
材料複合体の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-412293
出願人:エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズ, コミサリアタレネルジーアトミック
-
制御された劈開プロセス
公報種別:公表公報
出願番号:特願平10-549371
出願人:シリコン・ジェネシス・コーポレーション
-
層転写により構造を製造する方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2010-524479
出願人:エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレターテクノロジーズ
全件表示
前のページに戻る