特許
J-GLOBAL ID：201603006416817897

イオン注入システム中のイオン源の寿命および性能を向上させる方法および装置

発明者：
カイム,ロバート

カイム,ロバート について

, 
スウィーニー,ジョセフ,ディー.

スウィーニー,ジョセフ,ディー. について

, 
アヴィラ,アンソニー,エム.

アヴィラ,アンソニー,エム. について

, 
レイ,リチャード,エス.

レイ,リチャード,エス. について


出願人/特許権者：
インテグリス・インコーポレーテッド

インテグリス・インコーポレーテッド について


代理人 (4件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055370
公開番号（公開出願番号）：特開2016-129153
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2016年07月14日
要約：
【課題】イオン注入システム中のイオン源の寿命および性能を向上させるための、ドーパントおよびドーパントガス混合物を使用したイオン注入。【解決手段】イオン注入システムのイオン源の性能および寿命が向上する、イオン注入システムおよび方法であって、そのような向上を得るために有効な、同位体濃縮されたドーパント材料を使用することによる、またはドーパント材料と補給ガスとを使用することによるイオン注入システムおよび方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
注入用のイオンドーパント種を発生させるイオン源にドーパント組成物を流す工程を含むイオン注入方法であって、前記ドーパント組成物が、 (i)質量数70、72、73、74、または76の少なくとも1つゲルマニウム同位体の天然存在量を超えるまで同位体濃縮されたゲルマニウム化合物であって、前記少なくとも1つのゲルマニウム同位体の同位体濃縮レベルが、質量数70のゲルマニウム同位体の場合で21.2%を超え、質量数72のゲルマニウム同位体の場合で27.3%を超え、質量数73のゲルマニウム同位体の場合で7.9%を超え、質量数74のゲルマニウム同位体の場合で37.1%を超え、質量数76のゲルマニウム同位体の場合で7.4%を超え、但し、前記ドーパント組成物が、質量数72のゲルマニウム同位体が同位体濃縮された四フッ化ゲルマニウムからなる場合、前記同位体濃縮レベルが、質量数72のゲルマニウム同位体の場合で51.6%を超える、ゲルマニウム化合物と; (ii)ドーパントガスおよび補給ガスを含むドーパントガス配合物であって、前記補給ガスが希釈ガスおよび共通種ガスの少なくとも1つを含み、かつ、前記ドーパントガスと、存在する場合には共通種ガスとの少なくとも1つが同位体濃縮されている、ドーパントガス配合物と、 からなる群から選択される、イオン注入方法。
IPC (5件)：
H01J 27/02 ,  H01J 27/08 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265
FI (6件)：
H01J27/02 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 Z ,  H01L21/265 T ,  H01L21/265 603A
Fターム (5件)：
5C030DD05 ,  5C030DE01 ,  5C030DE05 ,  5C034CC01 ,  5C034CD02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (1件)
  • ATMI VAC BF3 Isotopically Enriched, 200506, [検索日:2017年02月17日], p.1-2
審査官引用 (1件)
  • ATMI VAC BF3 Isotopically Enriched, 200506, [検索日:2017年02月17日], p.1-2

前のページに戻る

TOP

BOTTOM