特許
J-GLOBAL ID：201603006669164474
太陽電池素子、及び、太陽電池素子を用いて電力を発生させる方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
田中 光雄
, 鮫島 睦
, 岡部 博史
, 稲葉 和久
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013002417
公開番号（公開出願番号）：WO2013-183207
出願日： 2013年04月09日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
本発明の太陽電池素子(9)は、透明基板本体(21)と、MgxAg1-x層(0.001≦x≦0.045)(22)と、ZnO層(23)と、透明導電層(3)と、光電変換層(4)と、が順に積層されている。光電変換層(4)はn型半導体層(41)とp型半導体層(42)とを含み、n型半導体層に電気的に接続されたn側電極(6)と、p型半導体層に電気的に接続されたp側電極(7)と、をさらに備る。MgxAg1-x層(22)は2〜13nmの厚みを有し、ZnO層は20〜870nmの算術平均粗さを有し、ZnO層(23)はMgxAg1-x層の表面上に成長した複数のZnO柱状結晶粒により構成され、各ZnO柱状結晶粒は透明基板本体の法線方向に沿った長手方向を有すると共に、MgxAg1-x層(22)から透明導電層(3)に向けて増加する幅を有し、その幅は、透明基板本体の法線方向に沿って各ZnO柱状結晶粒を切断することにより現れ、各ZnO柱状結晶粒は、1.1〜1.8のR2/R1比を有し、R1は、MgxAg1-x層(22)の表面に接するZnO柱状結晶粒の一端の幅を表し、R2は、ZnO柱状結晶粒の他端の幅を表わす。
請求項（抜粋）：
透明基板本体と、MgxAg1-x層と、ZnO層と、透明導電層と、光電変換層と、が順に積層されている太陽電池素子を用意する工程であって、
前記光電変換層は、n型半導体層と、p型半導体層と、を含み、
前記太陽電池素子は、前記n型半導体層に電気的に接続されたn側電極と、前記p型半導体層に電気的に接続されたp側電極と、をさらに備え、
前記MgxAg1-x層において、xは、0.001以上、0.045以下の値を表し、
前記MgxAg1-x層は、2ナノメートル以上、13ナノメートル以下の厚みを有し、
前記ZnO層は、20ナノメートル以上、870ナノメートル以下の算術平均粗さを有し、
前記ZnO層は、前記MgxAg1-x層の表面上に成長した複数のZnO柱状結晶粒により構成され、
各ZnO柱状結晶粒は、前記透明基板本体の法線方向に沿った長手方向を有しており、
前記各ZnO柱状結晶粒は、前記MgxAg1-x層から前記透明導電層に向けて増加する幅を有しており、
前記各ZnO柱状結晶粒の幅は、前記透明基板本体の法線方向に沿って前記各ZnO柱状結晶粒を切断することにより現れ、
前記各ZnO柱状結晶粒は、1.1以上、1.8以下のR2/R1比を有し、前記R1は、前記MgxAg1-x層の表面に接する前記ZnO柱状結晶粒の一端の幅を表し、前記R2は、前記ZnO柱状結晶粒の他端の幅を表わす、太陽電池素子を用意する工程と、
前記透明基板本体、前記MgxAg1-x層、前記ZnO層、および前記透明導電層を介して、前記光電変換層に光を照射して、前記n側電極および前記p側電極7の間に電力を発生させる工程(b)と、
を含む、太陽電池素子を用いて電力を発生させる方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F151AA08
, 5F151CA02
, 5F151CA04
, 5F151CA15
, 5F151CB14
, 5F151CB15
, 5F151CB22
, 5F151DA03
, 5F151FA02
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151FA30
, 5F151GA02
, 5F151GA03
, 5F151GA16
, 5F151HA20
