特許

J-GLOBAL ID：201603006739648520

太陽電池セルおよびその製造方法

発明者： 渡邉 敬司 ,  松村 三江子 ,  服部 孝司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 井上 学 ,  戸田 裕二 ,  岩崎 重美
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012065679
公開番号（公開出願番号）：WO2013-190646
出願日： 2012年06月20日
公開日（公表日）： 2013年12月27日
要約：

サブ波長構造を有する太陽電池セルにおいて、サブ波長構造内部での再結合損失低減と、表面電極としてパターン電極を用いることとを両立する方法が、従来はなかった。これに対し、所定の方向に延伸する複数のピラー(2)を具備し、第1導電型(p型)である基板(1)と、基板と接して設けられ、第1導電型とは異なる第2導電型(n型)のエミッタ層(11)と、を有する太陽電池セルにおいて、複数のピラーは、第1導電型の半導体からなり、複数のピラーのそれぞれは、その側面においてエミッタ層と接している構造とする。係る構造によって、従来の太陽電池セルと比較して、サブ波長構造内部での再結合損失低減と、表面電極としてパターン電極を用いることとを両立することが可能となる。

請求項（抜粋）：

所定の方向に延伸する複数のピラーを具備し、第1導電型である基板と、 前記基板と接して設けられ、前記第1導電型とは異なる第2導電型のエミッタ層と、を有し、 前記複数のピラーは、前記第1導電型の半導体からなり、 前記複数のピラーのそれぞれは、その側面において前記エミッタ層と接していることを特徴とする太陽電池セル。

IPC (2件)：

H01L 31/035 ,  H01L 31/068

FI (2件)：

H01L31/04 342B ,  H01L31/06 300

Fターム (12件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151CB19 ,  5F151CB22 ,  5F151DA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15