特許
J-GLOBAL ID：201603006782806415
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
きさらぎ国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061334
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187226
特許番号：特許第5902116号
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子が形成される素子領域、及び前記素子領域を挟む周辺領域を備え、
前記周辺領域は、
半導体層の第1位置から前記第1位置より上方の第2位置まで形成された第1絶縁層と、
前記半導体層の前記第2位置から前記第2位置より上方の第3位置まで形成されると共に、前記第1絶縁層よりも薄く且つ前記第1絶縁層の内径よりも大きい内径を有する第2絶縁層と、
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の内側に設けられ、前記第2位置より上方に設けられた凹部を有するフィールドプレート電極と、
前記凹部に設けられ、前記フィールドプレート電極とは異なる材料により構成された第1の層と
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 M
, H01L 29/06 301 F
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/78 653 C
