特許
J-GLOBAL ID：201603006890314804
ダイオードおよびそれを用いた電力変換システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-000877
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140901
特許番号：特許第6002387号
出願日： 2012年01月06日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域に設けられる第2導電型の第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域に設けられ、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第3の半導体領域と、前記第2の半導体領域にオーミック接続する第1の主電極と、前記第3の半導体領域にオーミック接続する第2の主電極とを有するダイオードであって、
前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間において部分的に、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第4の半導体領域が設けられ、
前記第2の半導体領域は、互いに分離された複数個の領域から成り、前記複数個の領域には、前記第4の半導体領域と接する第1の領域と、前記第4の半導体領域と接しない第2の領域を含み、
互いに隣接する前記第1の領域と前記第2の領域との距離が、互いに隣接する前記第2領域間の距離よりも大である
ことを特徴とするダイオード。
IPC (6件)：
H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/866 ( 200 6.01)
H01L 29/91 D
, H01L 29/78 657 D
, H01L 29/90 D
, H01L 29/91 K
