特許

J-GLOBAL ID：201603007181659160

CMP研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法

発明者： 高橋 光人
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-208014
公開番号（公開出願番号）：特開2016-076676
出願日： 2014年10月09日
公開日（公表日）： 2016年05月12日
要約：

【課題】CMP工程において、特に絶縁膜が酸化ケイ素膜、研磨停止膜がポリシリコン膜である基板の研磨を行う場合において、研磨によって発生する研磨傷を低減でき、かつ高い研磨選択性を有するCMP研磨剤を提供する。【解決手段】研磨粒子、保護剤、及び水を含むCMP研磨剤であって、前記保護剤は、極性基を有するシルセスキオキサンポリマーであることを特徴とするCMP研磨剤。この研磨剤を供給しながら、絶縁膜40が酸化ケイ素膜、研磨停止膜30がポリシリコン膜である基板の研磨を行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

研磨粒子、保護剤、及び水を含むCMP研磨剤であって、 前記保護剤は、極性基を有するシルセスキオキサンポリマーであることを特徴とするCMP研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 621D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (29件)：

3C158AA07 ,  3C158CA01 ,  3C158CA04 ,  3C158CB01 ,  3C158CB10 ,  3C158DA02 ,  3C158DA12 ,  3C158DA17 ,  3C158EA11 ,  3C158EB01 ,  3C158ED11 ,  3C158ED21 ,  3C158ED22 ,  3C158ED23 ,  3C158ED26 ,  3C158ED28 ,  5F057AA03 ,  5F057AA17 ,  5F057AA28 ,  5F057BA18 ,  5F057BA24 ,  5F057BB16 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA09 ,  5F057EA16 ,  5F057EA25 ,  5F057EA32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機溶媒を用いた酸化セリウム粉末の製造方法及びこの粉末を含むCMPスラリー
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-537088   出願人：エルジー・ケム・リミテッド
• オキセタニル基を有するシリコーン共重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-222217   出願人：東レ・ファインケミカル株式会社