特許
J-GLOBAL ID:201603007459502403
相変化物質に基づくプログラマブル抵抗を用いた遅延発生器
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
木村 高久
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-143199
公開番号(公開出願番号):特開2013-013081
特許番号:特許第5919607号
出願日: 2012年06月26日
公開日(公表日): 2013年01月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】 遅延発生器であって、カルコゲナイドに基づく相変化物質で作られる、少なくとも1つのプログラマブル抵抗RPCM(11)を含み、前記抵抗RPCMが、遅延を発生させるために、前記抵抗RPCMの抵抗値が初期値R0に等しく、そして前記カルコゲナイドが非晶相であるようなやり方で初期化され、比較器(13、16、19)が、時間の経過に対して安定な基準電気量を、前記プログラマブル抵抗RPCM(11)の抵抗値を表わす可変電気量と比較し、前記比較器が特異信号sを発生させ、前記特異性が、前記2つの電気量の間の差が符号を変えるときに生成される、遅延発生器。
IPC (2件):
H03K 5/13 ( 201 4.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
H03K 5/13 Z
, H01L 45/00 A
引用特許:
出願人引用 (4件)
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閉じ込め層を有する活物質素子
公報種別:公表公報
出願番号:特願2010-536925
出願人:オヴォニクス,インコーポレイテッド
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遅延回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-119021
出願人:三菱電機株式会社
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特開昭63-312715
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タイマ回路及び半導体メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-277675
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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