特許
J-GLOBAL ID：201603007568348490
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田下 明人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-274552
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120602
特許番号：特許第5998908号
出願日： 2012年12月17日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属製の基部(2)と、
当該基部に搭載された半導体デバイス(10)と、
前記基部および前記半導体デバイスの間に介在する絶縁物(3)と、
を備える半導体装置(1、1a〜1d)であって、
前記基部から、当該基部および前記半導体デバイスの間の寄生容量を経由して前記半導体デバイスに侵入するノイズの侵入経路に位置するように、前記基部および前記半導体デバイスの間において前記基部に取り付けられ、前記ノイズに対して高インピーダンスを示すインピーダンス構造部(20、20a、20b、30、40、50、60)を備え、
前記インピーダンス構造部は、前記ノイズの前記半導体デバイスへの侵入を妨げるための少なくとも1つの第1コイル(21、23、24、31)を有し、
前記第1コイルの少なくとも一端は、前記絶縁物に囲まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 23/00 ( 200 6.01)
, H01F 27/06 ( 200 6.01)
H01L 23/12 B
, H01L 23/00 B
, H01F 15/02 F
