特許

J-GLOBAL ID：201603007713666993

液晶表示装置

発明者： 浦本 聖一
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンディスプレイ
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-136793
公開番号（公開出願番号）：特開2016-015404
出願日： 2014年07月02日
公開日（公表日）： 2016年01月28日
要約：

【課題】リーク電流が小さく、信頼性の高い、トップゲートでシングルゲートであるTFTを形成した、高精細表示装置を実現する。【解決手段】半導体層103の延在方向に対して直角方向に交差する走査線10がゲート電極となってTFTが形成され、半導体層103はTFTの一方において、スルーホール140を介して映像信号線20と接続し、TFTの他方において、スルーホール120を介してコンタクト電極107と接続している。TFTとスルーホール140の間、または、TFTとスルーホール120の間において、ゲート電極と同じ材料で、同時に形成されたフローティング電極30が半導体層103の上層に存在していることを特徴とする表示装置。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

走査線が第1の方向に延在して第2の方向に配列し、映像信号線が前記第2の方向に延在して前記第1の方向に配列し、前記走査線と前記映像信号線との間に画素電極が形成されたTFT基板と、対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、 ゲート絶縁膜を介して半導体層とゲート電極とが配置し、前記半導体層と前記ゲート電極によってTFTが形成され、 前記半導体層は、前記TFTの一方の側において、前記映像信号線と接続し、前記半導体層は前記TFTの他方の側において、スルーホールを介してコンタクト電極と接続し、 前記コンタクト電極は前記画素電極と接続し、 前記ゲート電極と前記スルーホールとの間に、前記ゲート電極と同じ材料で同時に形成されたフローティング電極が、前記半導体層と重畳して形成されていることを特徴とする表示装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  G02F 1/136

FI (3件)：

H01L29/78 617N ,  H01L29/58 G ,  G02F1/1368

Fターム (59件)：

2H192AA24 ,  2H192BB13 ,  2H192BC31 ,  2H192BC42 ,  2H192CB02 ,  2H192CB45 ,  2H192CB53 ,  2H192CC02 ,  2H192CC05 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD63 ,  4M104DD91 ,  4M104DD94 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE18 ,  4M104FF02 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH03 ,  4M104HH04 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F110AA06 ,  5F110AA11 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE06 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03