特許
J-GLOBAL ID:201603008018555249

発振素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平井 安雄
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013065217
公開番号(公開出願番号):WO2013-180277
出願日: 2013年05月31日
公開日(公表日): 2013年12月05日
要約:
磁気渦構造及び層間交換結合を利用した高い熱安定性、高いQ値、高い周波数発振ができる機能を兼ね備える発振素子を提供する。磁化が固定され、中心部分に垂直磁化が形成される磁気渦構造を有する強磁性体からなる固定層11と、固定層11に積層されて設けられる非磁性体からなる非磁性層12と、非磁性層12に積層されて設けられ、平面形状が円形又は正多角形で中心部分に垂直磁化が形成される磁気渦構造を有する強磁性体からなり、垂直磁化が面方向に回転移動する自由層13と、各層に亘って電流を通電する電流供給部16とを備え、固定層11における磁化と自由層13における中心位置の磁化との相対的な角度の差を用いて発振を行う。また、自由層13が、複数の強磁性自由層が層間交換結合して構成されているものである。選択図 図2
請求項(抜粋):
磁化が固定され、磁気渦により第1の垂直磁化が形成される磁気渦構造を有する強磁性体からなる固定層と、 前記固定層に積層されて設けられる非磁性体からなる非磁性層と、 前記非磁性層に積層されて設けられ、磁気渦により第2の垂直磁化が形成される磁気渦構造を有する強磁性体からなり、前記第2の垂直磁化が面方向に回転移動する自由層と、 前記各層に亘って電流を通電する電流供給手段とを備え、 前記固定層における前記第1の垂直磁化と、前記自由層において前記第1の垂直磁化の位置に対応する対応位置における磁化との相対的な角度の差を用いて発振を行うことを特徴とする発振素子。
IPC (3件):
H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H03B 15/00
FI (3件):
H01L29/82 Z ,  H01L43/08 U ,  H03B15/00
Fターム (15件):
5F092AA08 ,  5F092AA15 ,  5F092AB10 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB42 ,  5F092BB44 ,  5F092BC04 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092GA03

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