特許

J-GLOBAL ID：201603008251561534

有機半導体化合物及びその製造方法、並びにそれを採用した有機半導体デバイス

発明者： ムン サン ジン ,  イ ジョン チョル ,  シン ウォン スク ,  イ サン キュ
出願人/特許権者： コリア リサーチ インスティテュート オブ ケミカル テクノロジー
代理人 (4件)： 正林 真之 ,  林 一好 ,  芝 哲央 ,  岩池 満
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-508293
特許番号：特許第6016891号
出願日： 2012年04月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 下記化学式1で表される有機半導体化合物。 (前記化学式1中、 Zは、S又はSeであり、 R1及びR2は、互いに独立して、(C1-C20)アルコキシである。)

IPC (2件)：

C07D 495/04 ( 200 6.01) ,  C08G 61/12 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C07D 495/04 101 ,  C07D 495/04 CSP ,  C08G 61/12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高分子化合物、これを含む薄膜及びインク組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-286622   出願人：住友化学株式会社, 国立大学法人広島大学
• 有機半導体材料、有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-028669   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

審査官引用 (2件)

• 高分子化合物、これを含む薄膜及びインク組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-286622   出願人：住友化学株式会社, 国立大学法人広島大学
• 有機半導体材料、有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-028669   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

引用文献：

出願人引用 (3件)

• Impact of Isomeric Structures on Transistor Performances in Naphthodithiophene Semiconducting Polyme
• 有機分子エレクトロニクス概論
• Low-Temperature, Solution-Processed, High-Mobility Polymer Semiconductors for Thin-Film Transistors

審査官引用 (3件)

• Impact of Isomeric Structures on Transistor Performances in Naphthodithiophene Semiconducting Polyme
• 有機分子エレクトロニクス概論
• Low-Temperature, Solution-Processed, High-Mobility Polymer Semiconductors for Thin-Film Transistors