特許
J-GLOBAL ID：201603008702947148
等電子不純物を含有するシリコン系熱電材料
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-518021
公開番号（公開出願番号）：特表2016-528716
出願日： 2014年06月06日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：
等電子不純物を含有するシリコン系熱電材料、当該熱電材料に基づく熱電素子、並びに、それらの製造方法及び使用方法を提供する。一実施形態によれば、熱電材料は、シリコンと、上記シリコンの内部に配置され、炭素、錫、及び鉛からなる群より選択された1種又は複数種の等電子不純物原子とを含み、上記1種又は複数種の等電子不純物原子は、上記シリコン中を伝播する熱フォノンを散乱するのに十分な量であると共に、上記シリコン中における上記1種又は複数種の等電子不純物原子の飽和限界よりも少ない量である。一実施例では、上記熱電材料は、上記シリコンの内部に配置されたゲルマニウム原子をさらに含み、上記ゲルマニウム原子は、上記シリコン中を伝播する熱フォノンを散乱するのに十分な量であると共に、上記シリコン中におけるゲルマニウムの飽和限界よりも少ない量である。上記1種又は複数種の等電子不純物原子のそれぞれと上記ゲルマニウム原子とは、独立して、シリコン原子を置換することができ、又は上記シリコンの格子間内に配置することができる。
請求項（抜粋）：
シリコンと、
上記シリコンの内部に配置され、炭素、錫、及び鉛からなる群より選択された1種又は複数種の等電子不純物原子とを備え、
上記1種又は複数種の等電子不純物原子は、上記シリコン中を伝播する熱フォノンを散乱するのに十分な量であると共に、上記シリコン中における上記1種又は複数種の等電子不純物原子の飽和限界よりも少ない量であることを特徴とする熱電材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
