特許
J-GLOBAL ID：201603008875547170
β-Ga2O3系単結晶の育成方法、及びβ-Ga2O3系単結晶基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-102599
公開番号（公開出願番号）：特開2014-221707
特許番号：特許第5836999号
出願日： 2013年05月14日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 EFG法を用いたβ-Ga2O3系単結晶の育成方法であって、
ルツボ内のGa2O3系融液をダイのスリットを通して前記ダイの開口部まで上昇させ、種結晶の水平方向の位置が前記ダイの幅方向の中心から前記幅方向にずれた状態で、前記種結晶を前記ダイの開口部にある前記Ga2O3系融液に接触させる工程と、
前記Ga2O3系融液に接触させた前記種結晶を引き上げ、β-Ga2O3系単結晶を成長させる工程と、
を含む、β-Ga2O3系単結晶の育成方法。
IPC (2件)：
C30B 29/16 ( 200 6.01)
, C30B 15/34 ( 200 6.01)
