SiC焼結体の接合方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-145546
公開番号（公開出願番号）：特開2014-009114
特許番号：特許第5869437号
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 2つのSiC焼結体を準備する工程と、前記SiC焼結体の接合面の最長部寸法をL(mm)としたとき、前記2つのSiC焼結体の接合面をそれぞれ、平面度a(μm)がa≦L/60を満たし、中央部に向って凸形状となるように研磨加工を行う工程と、前記2つのSiC焼結体の接合面を合わせて、前記接合面に0.1MPa以上の圧力で加圧しながら、1500°C以上で10分以上処理する工程とを備え、前記SiC焼結体の厚さをt(mm)としたとき、前記平面度a(μm)が、a≦50/tを満たすように前記研磨加工を行うことを特徴とするSiC焼結体の接合方法。

IPC (1件)：