特許

J-GLOBAL ID：201603009455158590

半導体装置

発明者： 黒川 達史
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-039693
公開番号（公開出願番号）：特開2014-168003
特許番号：特許第6033709号
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 直流電圧を降圧して生成された入力電圧が供給される第1ノードと、 ドレイン及びソースが、負荷回路と前記第1ノードとの間に接続され、ゲートに供給される制御電圧に応じて前記負荷回路に対する出力電圧の大きさを制御するNチャネル型MOSトランジスタと、 前記直流電圧に応じて所定の第1電圧以下の前記制御電圧を生成する制御電圧生成回路と を具備する 半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H02H 9/04 ( 200 6.01) ,  H02M 1/08 ( 200 6.01) ,  G05F 1/56 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/04 H ,  H02H 9/04 B ,  H02M 1/08 A ,  G05F 1/56 320 C