特許
J-GLOBAL ID:201603009485665950

液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットのための導電性支持体及び該グレージングユニット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  出野 知
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-540191
公開番号(公開出願番号):特表2016-505862
出願日: 2013年07月30日
公開日(公表日): 2016年02月25日
要約:
本発明は、TCO層と称される導電性透明酸化物に基づく層を含む電極と、窒化ケイ素に基づき厚さe1が少なくとも5nmである第一のバリア層と、酸化ケイ素に基づき厚さe2が少なくとも30nmである第二のバリア層とをこの順序で有する多層(3)を含み、厚さe1がe2以下であり及び/又はe1が80nm未満であって、第一及び第二のバリア層の累積厚さebが50nm以上150nm未満である、液晶グレージングユニット(100)のための導電性支持体に関する。
請求項(抜粋):
液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニット(100)のための導電性支持体であり、 ・透明導電性酸化物に基づき、TCO膜と称される膜を含む電極、及び ・厚さe1が少なくとも5nmである、窒化ケイ素に基づく第一のバリア膜、 のこの順序の薄膜の多層(3)を含む主面(11)を有する第1の透明基材(1)を含む導電性支持体であって、 前記多層が、前記第一のバリア膜より上に、厚さe2が少なくとも30nmである酸化ケイ素に基づく第二のバリア膜を含むこと、前記厚さe1がe2以下であり及び/又はe1が80nmよりも小さいこと、そして 前記第一及び第二のバリア膜の累積厚さebが50nm以上150nm未満であること を特徴とする、液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニット(100)のための導電性支持体。
IPC (4件):
G02F 1/133 ,  B32B 7/02 ,  C03C 17/38 ,  B32B 9/00
FI (6件):
G02F1/1334 ,  B32B7/02 103 ,  B32B7/02 104 ,  C03C17/38 ,  G02F1/1333 505 ,  B32B9/00 A
Fターム (54件):
2H189AA04 ,  2H189FA81 ,  2H189HA16 ,  2H189KA01 ,  2H189LA01 ,  2H189LA03 ,  2H189LA06 ,  2H190JA06 ,  2H190JB02 ,  2H190JB03 ,  2H190LA01 ,  4F100AA12B ,  4F100AA12E ,  4F100AA17A ,  4F100AA17E ,  4F100AA19E ,  4F100AA20C ,  4F100AA20E ,  4F100AA25E ,  4F100AA28E ,  4F100AA33E ,  4F100AD05B ,  4F100AD05E ,  4F100AG00D ,  4F100AT00D ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA10D ,  4F100BA25B ,  4F100BA25C ,  4F100GB07 ,  4F100GB08 ,  4F100GB31 ,  4F100GB32 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11E ,  4F100JD02B ,  4F100JD02C ,  4F100JD02E ,  4F100JG01A ,  4F100JK15E ,  4F100JN01A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4F100YY00E ,  4G059AA08 ,  4G059AC16 ,  4G059AC24 ,  4G059GA02 ,  4G059GA04 ,  4G059GA16

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