特許
J-GLOBAL ID:201603009485665950
液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットのための導電性支持体及び該グレージングユニット
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 蛯谷 厚志
, 出野 知
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-540191
公開番号(公開出願番号):特表2016-505862
出願日: 2013年07月30日
公開日(公表日): 2016年02月25日
要約:
本発明は、TCO層と称される導電性透明酸化物に基づく層を含む電極と、窒化ケイ素に基づき厚さe1が少なくとも5nmである第一のバリア層と、酸化ケイ素に基づき厚さe2が少なくとも30nmである第二のバリア層とをこの順序で有する多層(3)を含み、厚さe1がe2以下であり及び/又はe1が80nm未満であって、第一及び第二のバリア層の累積厚さebが50nm以上150nm未満である、液晶グレージングユニット(100)のための導電性支持体に関する。
請求項(抜粋):
液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニット(100)のための導電性支持体であり、
・透明導電性酸化物に基づき、TCO膜と称される膜を含む電極、及び
・厚さe1が少なくとも5nmである、窒化ケイ素に基づく第一のバリア膜、
のこの順序の薄膜の多層(3)を含む主面(11)を有する第1の透明基材(1)を含む導電性支持体であって、
前記多層が、前記第一のバリア膜より上に、厚さe2が少なくとも30nmである酸化ケイ素に基づく第二のバリア膜を含むこと、前記厚さe1がe2以下であり及び/又はe1が80nmよりも小さいこと、そして
前記第一及び第二のバリア膜の累積厚さebが50nm以上150nm未満であること
を特徴とする、液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニット(100)のための導電性支持体。
IPC (4件):
G02F 1/133
, B32B 7/02
, C03C 17/38
, B32B 9/00
FI (6件):
G02F1/1334
, B32B7/02 103
, B32B7/02 104
, C03C17/38
, G02F1/1333 505
, B32B9/00 A
Fターム (54件):
2H189AA04
, 2H189FA81
, 2H189HA16
, 2H189KA01
, 2H189LA01
, 2H189LA03
, 2H189LA06
, 2H190JA06
, 2H190JB02
, 2H190JB03
, 2H190LA01
, 4F100AA12B
, 4F100AA12E
, 4F100AA17A
, 4F100AA17E
, 4F100AA19E
, 4F100AA20C
, 4F100AA20E
, 4F100AA25E
, 4F100AA28E
, 4F100AA33E
, 4F100AD05B
, 4F100AD05E
, 4F100AG00D
, 4F100AT00D
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100BA25B
, 4F100BA25C
, 4F100GB07
, 4F100GB08
, 4F100GB31
, 4F100GB32
, 4F100GB41
, 4F100JA11E
, 4F100JD02B
, 4F100JD02C
, 4F100JD02E
, 4F100JG01A
, 4F100JK15E
, 4F100JN01A
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
, 4F100YY00E
, 4G059AA08
, 4G059AC16
, 4G059AC24
, 4G059GA02
, 4G059GA04
, 4G059GA16
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