特許

J-GLOBAL ID：201603009567172803

SiC基板のエッチング方法

発明者： 奥根 充弘 ,  置田 尚吾
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (3件)： 田中 光雄 ,  鮫島 睦 ,  岡部 博史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-237868
公開番号（公開出願番号）：特開2015-099820
特許番号：特許第5967488号
出願日： 2013年11月18日
公開日（公表日）： 2015年05月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 チャンバ内において、SiO2によるマスクパターンが形成されたSiC基板に対して、エッチングガスを使用して生成されるプラズマによりプラズマエッチング処理を行う、SiC基板のエッチング方法であって、 エッチングガスとして、少なくともSF6、O2、SiF4を含むエッチングガスを用いて、エッチングガスの総流量に対するSiF4の添加割合を18.9%以上、40%以下として、チャンバ内に第1のバイアスパワーを付与してエッチングを行う第1エッチング工程と、 第1エッチング工程後に、チャンバ内に第1のバイアスパワーよりも低い第2のバイアスパワーを付与してエッチングを行う第2エッチング工程とを有する、SiC基板のエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/302 105 A