特許
J-GLOBAL ID:201603009574234431

複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリ、リソグラフィ装置、複数の放射ビームの特性を修正する方法およびデバイス製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-089498
公開番号(公開出願番号):特開2016-164679
出願日: 2016年04月27日
公開日(公表日): 2016年09月08日
要約:
【課題】ファイバまたは導波路寿命および/またはレーザダイオードのコスト/入手可能性の問題に対処するアセンブリを提供する。【解決手段】複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリであって、アセンブリは、複数の放射ビームをより接近させて誘導するように構成された複数の導波路と、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成するように構成された周波数逓倍デバイスとを備える。対応するリソグラフィ装置、複数の放射ビームの特性を修正する方法およびデバイス製造方法についても記載する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリであって、前記アセンブリは、 前記複数の放射ビームをより接近させて誘導する複数の導波路と、 前記複数の導波路によって誘導された前記複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成する周波数逓倍デバイスとを備える、アセンブリ。
IPC (1件):
G03F 7/20
FI (1件):
G03F7/20 521
Fターム (23件):
2H197AA09 ,  2H197AA29 ,  2H197BA02 ,  2H197BA04 ,  2H197BA09 ,  2H197CA01 ,  2H197CA03 ,  2H197CA07 ,  2H197CA15 ,  2H197CA16 ,  2H197CC05 ,  2H197CC11 ,  2H197CC23 ,  2H197CD12 ,  2H197CD15 ,  2H197DA04 ,  2H197DB05 ,  2H197DB11 ,  2H197DB17 ,  2H197EA05 ,  2H197HA03 ,  2H197HA04 ,  2H197HA10

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