半導体装置および歪監視装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：美甘徹也 , 原拓実 , 砂井正之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-057711
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183248
特許番号：特許第5845201号
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、前記基板に載置され、第1および第2の領域を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1の領域に設けられた絶縁ゲート電界効果トランジスタと、前記半導体基板の前記第2の領域であって前記半導体基板の上面より前記基板側に設けられた長尺な金属抵抗体と、前記半導体基板と前記金属抵抗体の間に設けられ、前記半導体基板の前記上面まで延在した第1の絶縁膜と、前記金属抵抗体を跨いで前記第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜とを有する歪ゲージ部と、を具備し、前記金属抵抗体と前記第2の絶縁膜との間にキャビティが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 25/07 ( 200 6.01) , H01L 25/18 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 27/04 T , H01L 25/04 C , H01L 27/06 102 A , H01L 27/04 P , H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその試験方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-030756 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-074194 出願人：株式会社リコー
特開昭64-042101

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